Le procédé de recuit rapide (sigle RTA en anglais) est un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température (jusqu`à 1200 °C ou plus) dans un temps très court, quelques secondes. Trouvé sur https://fr.wikipedia.org/wiki/Recuit_thermique_rapide
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Le procédé de recuit rapide (sigle RTA en anglais) est un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température (jusqu`à 1200 °C ou plus) dans un temps très court, quelques secondes.