Un MODFET est constitué par une hétérojonction de type I (SiGe/Ge, AlGaN/InGaN, AlInAs/GaInAs, GaInAs/AlGaAs, AlGaAs/AlGa, etc). L`hétérojonction est formée par plusieurs couches de dopage différent : une couche du matériau au gap le plus petit (GaAs pour le MODFET AlGaAs/GaAs par exemple...